Datasheet

FE6A ... FE6G
FE6A ... FE6G
Superfast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichter mit superschnellem Sperrverzug
I
FAV
= 6 A
V
F
< 0.98...1.3 V
T
jmax
= 175°C
V
RRM
= 50...400 V
I
FSM
= 200/220 A
t
rr
< 50 ns
Version 2019-10-16
Ø 8 x 7.5 (~P600)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies
High speed switching
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung
1
)
Features
V
RRM
up to 400 V
High forward surge current
Package smaller than
industry standard
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
V
RRM
bis zu 400 V
Hohe Stoßstromfestigkeit
Gehäuse kleiner als
Industriestandard
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
)
Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack 500 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 1.3 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
FE6A 50 50
FE6B 100 100
FE6D 200 200
FE6F 300 300
FE6G 400 400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
I
FAV
6 A
3
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
50 A
3
)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
200 A
220 A
Rating for fusing
Grenzlastintegral
t < 10 ms i
2
t 200 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 8
±0.1
7.5
±0.1
62.5
±1.0