Datasheet

MMBTA56
MMBTA56
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
I
C
= -500 mA
h
FE
> 100
T
jmax
= 150°C
V
CES
= -60 V
P
tot
= 250 mW
Version 2018-12-20
SOT-23
(TO-236)
1 = B 2 = E 3 = C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert
1
)
Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
2GM or JB MMBTA06
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
MMBTA56/-Q
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - V
CEO
60 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - V
CBO
60 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - V
EBO
4 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
250 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC - I
C
500 mA
Base current – Basisstrom - I
B
100 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - I
BM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
4
)
- V
CE
= 1 V - I
C
= 1 mA
- I
C
= 100 mA
h
FE
100
100
– –
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2