Datasheet

MPSA92 / MPSA94
MPSA92 / MPSA94
PNP
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
PNP
Version 2009-05-07
Dimensions / Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MPSA92 MPSA94
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open - V
CEO
300 V 400 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open - V
CBO
300 V 400 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open - V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
to
t 625 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (dc) - I
C
300 mA
Base current – Basisstrom - I
B
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Min. Typ. Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 200 V
I
E
= 0, - V
CB
= 160 V
MPSA92
MPSA94
- I
CB0
- I
CB0
– –
250 nA
250 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
B
= 0, - V
EB
= 3 V - I
EB0
– – 100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 20 mA, - I
B
= 2 mA
MPSA92
MPSA94
- V
CEsat
- V
CEsat
– –
500 mV
500 mV
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 20 mA, - I
B
= 2 mA - V
BEsat
– – 0.9 V
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
16
18
9
2 x 2.54
E
B C