Datasheet

P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
P
PPM
= 600 W
P
M(AV)
= 5.0 W
T
jmax
= 150°C
V
WM
= 5.0 ... 170 V
V
BR
= 6.8 ... 200 V
Version 2018-02-01
~ SMB / ~ DO-214AA
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = V
WM
. Cathode mark
only at unidirectional types
Typ-Code = V
WM
. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung
1
)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Further available: P6SMB220...550CA
having V
BR
= 220 ... 550 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Auch erhältlich: P6SMB220...550CA
mit V
BR
= 220 ... 550V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
T
A
= 25°C P
PPM
600 W
3
)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb T
T
= 75°C
P
M(AV)
5 W
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
100 A
4
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
I
F
= 25 A V
BR
≤ 200 V
V
F
< 3.0 V
4
)
Thermal resistance junction to ambien – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
R
thA
R
thT
< 45 K/W
5
)
< 15 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
4 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
5 Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.1
2.2
± 0.2
Type
Typ
2.1
± 0.1
3.7
± 0.3
2
4.6
± 0.5
5.4
± 0.5
0.15