Datasheet

SBT1020 ... SBT10100
SBT1020 ... SBT10100
Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode
Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode
Version 2005-12-07
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
10 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...100 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-220AC
Weight approx.
Gewicht ca.
1.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
)
I
F
= 5 A I
F
= 10 A
SBT1020 20 20 < 0.47 < 0.54
SBT1030 30 30 < 0.47 < 0.54
SBT1040 40 40 < 0.47 < 0.54
SBT1045 45 45 < 0.47 < 0.54
SBT1050 50 50 < 0.57 < 0.64
SBT1060 60 60 < 0.57 < 0.64
SBT1090 90 90 < 0.72 < 0.79
SBT10100 100 100 < 0.72 < 0.79
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
C
= 100°C I
FAV
10 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
30 A
2
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT1020...
SBT1060
T
A
= 25°C I
FSM
135/150 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT1090...
SBT10100
T
A
= 25°C I
FSM
115/125 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C i
2
t 80 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+175°C
1 T
j
= 25°C
2 Max. temperature of the case T
C
= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T
C
= 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
15.7 13.2
3
3.4
10
±0.2
1.5
0.9
5.08
3.8
Type
Typ
1 2 3
4
1 2 3
4