Datasheet
Table Of Contents
SBT1840-3G, SBT1845-3G
SBT1840-3G, SBT1845-3G
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3
rd
Generation
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation
I
FAV
= 18 A
V
F
< 0.535 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 40V, 45 V
I
FSM
= 280/320 A
V
F@5A125°C
< 0.29 V
Version 2019-07-12
TO-220AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Output Rectification in DC/DC-
Converters and Power Supplies
Solar Bypass Diodes, Polarity Protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung in DC/DC-
Wandlern und Netzteilen
Solar-Bypassdioden, Verpolschutz
Freilaufdioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifizierung
1
)
Features
Lower V
F
and I
R
than SBT1840/45
Best trade-off between V
F
and I
R
2
)
Low forward voltage drop
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Kleineres V
F
aund I
R
als SBT1040/45
Optimale Auswahl von V
F
und I
R
2
)
Niedrige Fluss-Spannung
Hohe Leistungsfähigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Packed in tubes/cardboards 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons
Weight approx. 1.8 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
3
) Grenzwerte
3
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
SBT1840-3G 40 40
SBT1845-3G 45 45
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
T
C
= 100°C
4
) I
FAV
18 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz T
C
= 100°C
4
) I
FRM
55 A
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
I
FSM
280 A
320 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i
2
t 390 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
T
j
T
j
-50...+150°C
≤ 200°C
2,5
)
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
5 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
4
31
Type
Typ
5.08
±0.1
0.8
±0.2
1.3
±0.1
10.1
±0.3
3.9
±0.3
2.8
±0.3
13.9
±0.3
14.9
±0.7
Ø
±0.2
3.8
1.2
±0.2
0.42
±0.1
4.5
±0.2
2.67
±0.2
8.7
±0.3
4
31