Datasheet
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Signalsensoren Ø5mm
Metallfassungen
Indicator Sensors Ø5mm
Metal Holders
Allgemeine Hinweise und Technische Daten
Allgemeine Hinweise und technische Daten: siehe Seite 4
General Remarks and Technical Data
General remarks and technical data: see page 4
Spezifische Technische Daten
Gehäusewerkstoff: CuZn verchromt
Steckeinsatz: PC UL94 schwarz
Wellenlänge: λ 950nm
Strahlstärke: I
e
20mW/sr bei Durchlassstrom I
F
100mA
Durchlassspannung: V
F
1.3V bei Durchlassstrom I
F
100mA
Ausstiegszeit tr, Abfallzeit tl: 400ns
Halbwinkel: φ ± 22°C
Specific Technical Data
Housing Material: CuZn chrome plated
Plug Insert: PC UL94 black
Wavelength: λ 950nm
Radiant Intensity: I
e
20mW/sr at Forward current I
F
100mA
Forward Voltage: V
F
1.3V at Forward current I
F
100mA
Rise time tr, Fall time tl: 400ns
Half angle: φ ± 22°C
Die Infrarot-Dioden zeichnen sich durch gute spektrale Anpassung an Fototransis-
toren, hohe Strahlstärke und große Reichweite (6-10m) aus. Sie sind für Impulsbe-
trieb geeignet. Die Signalsensoren für Frontplatteneinbau sind für Schraubbefesti-
gung mit einer empfohlenen Einbaubohrung von Ø8mm ausgelegt.
The infrared diodes are characterised by their good spectral adaptation to photo
transistors, high beam intensity and long range distances (6-10m). They are suitable
for pulsed operation. The signal sensors for front panel installation are designed for
screw mounting with a recommended installation hole of Ø8mm.
314
18
23.3
0.52
2.54
Anode
11.5
Ø5
Ø9.5
2.5
M8x0.75
SW10
Art.-Nr.
2690.8001
Durch Verwendung von Dichtungen ist die Infrarot-Diode in strahlwasserge-
schützter Ausführung IP65 einsetzbar. Lieferung inklusive Scheibe und Mutter.
Seals allow the infrared diode to be used in water-jet-proof IP65 designs. Supplied
with washer and hexagonal nut.
7
11.5
16.5
18
0.5
2.54
2.5
M8x0.75
SW10
13Ø
Anode
10Ø
Art.-Nr.
RTM 5070
Spezifische Technische Daten
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung: V
BR CEO
30V
Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung: V
BR ECO
5V
Verlustleistung: P
tot
100mW
Anstiegszeit t
r
, Abfallzeit t
t
: 3µs
Wellenlänge: λ 940nm
Kollektor-Emitter-Strom: I
PCE
100µA
Specific Technical Data
Collector-Emitter-Breakdown Voltage: V
BR CEO
30V
Emitter-Collector- Breakdown Voltage: V
BR ECO
5V
Power Disipation: P
tot
100mW
Rise time t
r
, Fall time t
t
: 3µs
Wavelength: λ 940nm
Collektor-Emitter-Current: I
PCE
100µA
Der Fototransistor zeichnet sich durch gute spektrale Anpassung an Infrarot-LED‘s
aus. Er ist geeignet für Bereiche der sichtbaren und nahen infraroten Strahlung. Er
besitzt eine hohe Fotoempfindlichkeit. Für Frontplatteneinbau mit Schraubbefesti-
gung und einer empfohlenen Einbaubohrung von Ø8mm ausgelegt.
The photo transistor is characterised by its good spectral adaptation to infrared
LEDs. It is suitable for visible and near-infrared radiation. It has a high photosen-
sitivity. Designed for front panel installation with screw mounting and a recom-
mended installation hole of Ø8mm.
314
15
23.3
0.5x0.6
2.54
Emitter
11.5
Ø5
Ø9.5
2.5
M8x0.75
SW10
Collector
Art.-Nr.
2691.8001
05_Opto_10_Products_Index_0_v1.indd 4305_Opto_10_Products_Index_0_v1.indd 43 22.10.2010 08:24:2722.10.2010 08:24:27