User`s manual

Fr-33
Franças
DRAM Tmng Mode
Le type de tmng DRAM est contrôlé par lEEPROM SPD (Seral Presence Detect)
du module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sousmenu suvant
Advance DRAM Conguraton est détermné par le BIOS en foncton de la conguraton
du SPD. La mse en [Lnk] ou [Unlnk] vous permet de congurer le tmngs DRAM et le
sous-menu Advance DRAM Conguraton manuellement.
Advanced DRAM Conguraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu.
Command Rate
Ce réglage contrôle le taux dordre DRAM.
tCL
Il contrôle la latence CAS, qu détermne le retard du tmng (en cycle dhorloge)
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après lavor reçu.
tRCD
Cette foncton vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row
address strobe) à CAS (column address strobe). Plus basse est la fréquence de
lhorloge, plus rapde est la performance de la DRAM.
tRP
Cette foncton contrôle le nombre de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS)
est autorsé à pré-charger. Sl ny a pas assez de temps pour que le RAS accumule
sa charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être n
-
complet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cette foncton sapplque
seulement quand le système utlse de la DRAM synchrone.
tRAS
Lartcle détermne le temps que le RAS prend pour lre ou écrre une cellule de
mémore.
tRFC
Cette foncton permet de détermner le temps que le RFC prend pour lre ou écrre
une cellule demémore.
tWR
Lntervalle de temps mnmum entre la n dapparton décrture de données et le
début de lordre de précharge. Permet aux amplcateurs senstfs de restaurer les
données aux cellules.
tWTR
Lntervalle de temps mnmum entre la n dapparton décrture de données
et le début de lordre de pré-charge. Permet au pont I/O de fare sur-fonctonner
lamplcateur senstf avant quun ordre de lecture commence.
tRRD
Spéce le déla actf-à-actf des dérentes banques.
tRTP
Lntervalle de temps entre un ordre de lecture et un ordre de pré-charge.
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