User`s manual
Fr-32
Carte mère MS-7681
Intel Turbo Booster
Cet artcle apparaît lorsque vous nstallez un CPU supportant l’Intel Turbo Boost Tech
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nologe.  Ce  menu  sert  à actver ou désactver l’Intel Turbo Boost Technologe. Elle 
peut augmenter la fréquence du processeur dynamquement lorsque les applcatons 
demandent une melleure performance et le TDP reste dans la plage de température. 
Elle peut également orr une augmentaton de la pussance sans erreurs (Dynamque 
augmentaton, basse par étape). C’est la nouvelle technologe Intel pour les nouveaux 
CPU.
DRAM Rato
Ce réglage  contrôle le rato de fréquence mémore pour  permettra à la mémore de 
fonctonner avec des combnasons de dérentes fréquences. 
Extreme Memory Prole(X.M.P)
Cet artcle sert à actver/ désactver l’Intel Extreme Memory Prole (XMP). Pour plus 
d’nformatons veullez vous référer au ste Internet ocel.
Adjusted DRAM Frequency
Il montre la fréquence ajustée de la DRAM. Lecture unquement.
DRAM Tmng Mode
Le chox de décson s le tmng DRAM est contrôlé par le SPD (Seral Presence Detect) 
EEPROM sur le module DRAM. La mse en [Auto] actve le DRAM tmngs et le sous-
menu suvant “Advance DRAM Conguraton” d'être détermné par le BIOS basé sur la 
conguraton du SPD. La mse en [Manual] vous permet de congurer le tmngs DRAM 
et le sous-menu suvant “Advance DRAM Conguraton” relatfs manuellement.
Advanced DRAM Conguraton
Appuyez sur <Enter> pour entrer dans le sous-menu. 
Command Rate2
Ce réglage contrôle le taux d’ordre DRAM. 
tCL
Il contrôle  la latence  CAS, qu  détermne le retard du tmng (en cycle d’horloge) 
avant que le SDRAM commence un ordre de lecture après l’avor reçu.
tRCD
Quand le DRAM est rafraîch, les rangs et les colonnes sont tous adressés séparé
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ment. Cet artcle vous permet de détermner le tmng de la transton de RAS (row 
address strobe) à CAS (column address strobe). Mons fonctonne l’horloge, plus 
vte est la performance de DRAM.
tRP
Cet artcle contrôle le numéro de cycles pour que le Row Address Strobe (RAS) sot 
autorsé à pré-charger. S’l n’y a pas assez de temps pour que le RAS accumule sa 
charge avant le rafraîchssement de la DRAM, le rafraîchssement peut être ncom
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plet et le DRAM peut échouer à retrer les données. Cet artcle s’applque seulement 
quand le DRAM synchrone est nstallé dans le système.
tRAS
L’artcle détermne le temps que  le RAS  prend pour lre  ou écrre  une cellule de 
mémore.
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