Datasheet

NTE123AP
Silicon NPN Transistor
Audio Amplifier, Switch
(Compl to NTE159)
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, V
CEO
40V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector−Base Voltage, V
CB
60V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Emitter−Base Voltage, V
EB
6V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous Collector Current, I
C
600mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
A
= +25°C), P
D
625mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25°C 5.0mW/°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
C
= +25°C), P
D
1.5W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25°C 12mW/°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
−55° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
−55° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction to Case, R
thJC
83.3°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction to Ambient, R
thJA
200°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (T
A
= +25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage V
(BR)CEO
I
C
= 1mA, I
B
= 0, Note 1 40 − − V
Collector−Base Breakdown Voltage V
(BR)CBO
I
C
= 0.1mA, I
E
= 0 60 − − V
Emitter−Base Breakdown Voltage V
(BR)EBO
I
E
= 0.1mA, I
C
= 0 6 − − V
Collector Cutoff Current I
CEV
V
CE
= 35V, V
EB(off)
= 0.4V − − 0.1 µA
Base Cutoff Current I
BEV
V
CE
= 35V, V
EB(off)
= 0.4V − − 0.1 µA
ON Characteristics (Note 1)
DC Current Gain h
FE
V
CE
= 1V, I
C
= 0.1mA 20 − −
V
CE
= 1V, I
C
= 1mA 40 − −
V
CE
= 1V, I
C
= 10mA 80 − −
V
CE
= 1V, I
C
= 150mA 100 − 300
V
CE
= 1V, I
C
= 500mA 40 − −
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.