Datasheet

PBSS4440D_2 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 11 December 2009 8 of 13
NXP Semiconductors
PBSS4440D
40 V NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= −55 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= 100 °C
T
amb
= 25 °C
(1) I
C
/I
B
= 100
(2) I
C
/I
B
=50
(3) I
C
/I
B
=10
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function
of collector current; typical values
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
006aaa344
0.8
0.4
1.2
1.6
V
BEsat
(V)
0
(1)
(2)
(3)
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
006aaa326
I
C
(A)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
(2)
(1)
(3)
T
amb
=25°CI
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 11. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
Fig 12. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
2
4
6
8
10
12
V
CE
(V)
0 2.01.60.8 1.20.4
006aaa280
14
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 400
360
280
240
200
160
120
80
40
320
1
10
−1
10
2
10
10
3
R
CEsat
(Ω)
10
−2
006aaa281
I
C
(mA)
10
−1
10
5
10
4
10
3
110
2
10
(1)
(2)
(3)