Datasheet

BAV756S_BAW56_SER_5 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 05 — 26 November 2007 6 of 15
NXP Semiconductors
BAV756S; BAW56 series
High-speed switching diodes
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=85°C
(3) T
amb
=25°C
(4) T
amb
= −40 °C
Based on square wave currents.
T
j
=25°C; prior to surge
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2. Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
=85°C
(3) T
amb
=25°C
(4) T
amb
= −40 °C
f = 1 MHz; T
amb
=25°C
Fig 3. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 4. Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
006aab109
V
F
(V)
0.2 1.41.00.6
1
10
10
2
10
3
I
F
(mA)
10
−1
(1)
(2) (3) (4)
mbg704
10
1
10
2
I
FSM
(A)
10
−1
t
p
(µs)
110
4
10
3
10 10
2
006aab110
10
−2
10
−4
10
−3
10
1
10
−1
10
2
I
R
(µA)
10
−5
V
R
(V)
0 1008040 6020
(1)
(2)
(3)
(4)
025
V
R
(V)
2.5
0
0.5
mbh191
1.0
1.5
2.0
5
C
d
(pF)
10 15 20