Datasheet
BD675, BD675A, BD677, BD677A, BD679, BD679A, BD681
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Breakdown Voltage, (Note 1) BD675, 675A
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 0) BD677, 677A
BD679, 679A
BD681
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
BV
CEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
45
60
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (V
CE
= Half Rated V
CEO
, I
B
= 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
500
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= Rated BV
CEO
, I
E
= 0)
(V
CB
= Rated BV
CEO
, I
E
= 0, T
C
= 100’C)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.2
2.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Currert Gain, (Note 1)
(I
C
= 1.5 Adc,V
CE
= 3.0 Vdc) BD675, 677, 679, 681
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc) BD675A, 677A, 679A
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
750
750
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage, (Note 1)
(I
C
= 1.5 Adc, I
B
= 30 mAdc) BD677, 679, 681
(I
C
= 2.0 Adc, I
B
= 40 mAdc) BD675A, 677A, 679A
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.5
2.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage, (Note 1)
(I
C
= 1.5 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc) BD677, 679, 681
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 3 0 Vdc) BD675A, 677A, 679A
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.5
2.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small Signal Current Gain (I
C
= 1.5 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
h
fe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
50
40
10
5.0
0
15 30 45 60 75 105 135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIPATION (WATTS)
12090
45
20
15
30
25
35
Figure 2. DC Safe Operating Area
5.0
1.0
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.0
0.5
0.05
2.0 5.0 10 50 100
BONDING WIRE LIMIT
THERMALLY LIMIT at T
C
= 25°C
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
0.2
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
T
C
= 25°C
BD675, 675A
BD677, 677A
BD679, 679A
BD681
20
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor average junction temperature and secondary
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
− V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; e.g., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by secondary breakdown.