Datasheet
BD676, BD676A, BD678, BD678A, BD680, BD680A, BD682, BD682T
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1) BD676, 676A
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 0) BD678, 678A
BD680, 680A
BD682
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
BV
CEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
45
60
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (V
CE
= Half Rated V
CEO
, I
B
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
500
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= Rated BV
CEO
, I
E
= 0)
(V
CB
= Rated BV
CEO
. I
E
= 0, T
C
= 100°C)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.2
2.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (Note 1)
(I
C
= 1.5 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc) BD676, 678, 680, 682
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc) BD676A, 678A, 680A
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
750
750
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1)
(I
C
= 1.5 Adc, I
B
= 30 mAdc) BD678, 680, 682
(I
C
= 2.0 Adc, I
B
= 40 mAdc) BD676A, 678A, 680A
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.5
2.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage (Note 1)
(I
C
= 1.5 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc) BD678, 680, 682
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc) BD676A, 678A, 680A
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.5
2.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small−Signal Current Gain (I
C
= 1.5 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
h
fe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
50
40
10
5.0
0
15 30 45 60 75 105 135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIPATION (WATTS)
12090
45
20
15
30
25
35
Figure 2. DC Safe Operating Area
5.0
1.0
V
CE
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.0
0.5
0.05
2.0 5.0 10 50 100
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT at T
C
= 25°C
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
0.2
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
T
C
= 25°C
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
BD682
20
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor average junction temperature and secondary
breakdown. Safe operating area curves indicate I
C
− V
CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; e.g., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by secondary breakdown.