Datasheet

2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
BPW 21
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 40 … + 80 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
T
S
235 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
10 V
Verlustleistung, T
A
=25°C
Total power dissipation
P
tot
250 mW
Kennwerte (T
A
=25°C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (T
A
=25°C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, V
R
=5 V
Spectral sensitivity
S 10 (≥ 5.5) nA/lx
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
550 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
λ 350 … 820 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A 7.34 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L × B
L
× W
2.73 × 2.73 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
1.9 … 2.3 mm
Halbwinkel
Half angle
ϕ±55 Grad
deg.