Datasheet

2014-01-17 2
Version 1.1 BP 104 F
Characteristics (T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Photocurrent
Fotostrom
(V
R
= 5 V, E
e
= 1 mW/cm
2
, λ = 950 nm)
I
P
34 (≥ 25) µA
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λ
S max
950 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ
10%
800 ... 1100 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A4.84mm
2
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L x W 2.2 x 2.2 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ ± 60 °
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
I
R
2 (≤ 30) nA
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 950 nm)
S
λ typ
0.7 A / W
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 950 nm)
η 0.91 Electro
ns
/Photon
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
, λ = 950 nm)
V
O
330 (≥ 250) mV
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
, λ = 950 nm)
I
SC
17 µA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(R
L
= 50 Ω; V
R
= 5 V; λ = 850 nm; I
p
= 800 μA)
t
r
, t
f
0.02 µs
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, E = 0)
V
F
1.3 V