Datasheet

Version 1.1 BPW 34 FS
2014-01-09 3
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 950 nm)
η 0.91 Electro
ns
/Photon
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
, λ = 950 nm)
V
O
330 (≥ 275) mV
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
, λ = 950 nm)
I
SC
25 µA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 50 Ω, λ = 850 nm, I
P
= 800 µA)
t
r
, t
f
0.02 µs
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, E = 0)
V
F
1.3 V
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
C
0
72 pF
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
TC
V
-2.6 mV / K
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(λ = 950 nm)
TC
I
0.18 % / K
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V, λ = 950 nm)
NEP 0.036 pW /
Hz
½
Detection limit
Nachweisgrenze
(V
R
= 10 V, λ = 950 nm)
D
*
7.3e12 cm x
Hz
½
/ W
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit