Datasheet

Version 1.1 BPW 34
2014-01-10 3
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 850 nm)
η 0.90 Electro
ns
/Photon
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
V
O
365 (≥ 300) mV
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
I
SC
80 µA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 50 Ω, λ = 850 nm, I
P
= 800 µA)
t
r
, t
f
0.02 µs
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, E = 0)
V
F
1.3 V
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
C
0
72 pF
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
TC
V
-2.6 mV / K
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(Std. Light A)
TC
I
0.18 % / K
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V, λ = 850 nm)
NEP 0.041 pW /
Hz
½
Detection limit
Nachweisgrenze
(V
R
= 10 V, λ = 850 nm)
D
*
6.5e12 cm x
Hz
½
/ W
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit