Datasheet

Semiconductor Group 1
IRL 80 A
GaAs-Infrarot-Sendediode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
● GaAs-Lumineszenzdiode im
Infrarotbereich
● Klares Miniaturkunststoffgehäuse,
seitliche Abstrahlung
● Preiswertes Kunststoffgehäuse
● Lange Lebensdauer
(Langzeitstabilität)
● Weiter Öffnungskegel (± 30°)
● Passend zu Fototransistor LPT 80 A
Anwendungen
● Fertigungs- und Kontrollanwendungen
der Industrie, die eine Unterbrechung
des Lichtstrahls erfordern
● Lichtschranken
Features
● GaAs infrared emitting diode
● Clear plastic package with lateral emission
● Low cost plastic package
● Long term stability
● Wide beam (± 30°)
● Matches phototransistor LPT 80 A
Applications
● For a variety of manufacturing and
monitoring applications which require beam
interruption
● Light barriers
IRL 80 A
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
IRL 80 A Q68000-A7851
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06461
10.95