Datasheet

Produktmerkmale

• Verfügbare Kapazitäten: 250 GB, 500 GB, 1 TB, 2 TB

• Moderne V-NAND Speichertechnologie

• M.2-Formfaktor (2280) mit NVMe-Unterstützug

• Samsung Phoenix-Controller mit bis zu 2 GB LPDDR4-SDRAM

• Sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 3.500 MB/s lesend bzw. 2.500 MB/s schreibend

• Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 500.000 IOPS (Random Read) bzw. 480.000 IOPS (Random Write)

• 5 Jahre eingeschränkte Garantie oder bis zu 1.200 TB TBW

5 Jahre Garantie bei gleichzeitiger Einhaltung der speziﬁ zierten Gesamtschreibdatenmenge innerhalb der Garantiezeit:

150 TB TBW (Total Bytes Written) bei 250 GB, 300 TB TBW bei 500 GB, 600 TB TBW bei 1 TB sowie 1.200 TB TBW bei 2 TB.

Die genauen Garantiebedingungen ﬁ nden Sie unter dem Link www.samsung.com/de/support/warranty

Samsung SSD 970 EVO

Eine SSD, die bereit ist für alles.

Solid State Drive

Highlights

Systeme der nächsten Generation können mit der Samsung SSD 970 EVO richtig schnell sein. Die neue SSD bietet mit bis zu

3.500 MB/s hohe Leistung, vorbildliche Zuverlässigkeit - dank bis zu 1.200 TB TBW - und eine große Auswahl an Kapazitäten

zwischen 250 GB und 2 TB. Mit modernster V-NAND Speichertechnologie, dem brandneuen Phoenix-Controller sowie der

Intelligent TurboWrite-Technologie können Sie High-End-Gaming oder auch 4K Video- oder 3D-Graﬁ kbearbeitung auf hohem

Niveau erledigen.

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Solid State Drive Samsung SSD 970 EVO Eine SSD, die bereit ist für alles. Highlights Systeme der nächsten Generation können mit der Samsung SSD 970 EVO richtig schnell sein. Die neue SSD bietet mit bis zu 3.500 MB/s hohe Leistung, vorbildliche Zuverlässigkeit - dank bis zu 1.200 TB TBW - und eine große Auswahl an Kapazitäten zwischen 250 GB und 2 TB.
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Technische Daten Modell Kapazität MZ-V7E250BW MZ-V7E500BW 250 GB 500 GB Gewicht Samsung V-NAND 3-Bit MLC DRAM Cache-Speicher 512 MB LPDDR4 512 MB LPDDR4 Sequential Read 1 GB LPDDR4 2 GB LPDDR4 max. 3.400 MB/s max. 3.400 MB/s Sequential Write max. 1.500 MB/s max. 3.400 MB/s max. 3.500 MB/s max. 2.300 MB/s max. 2.500 MB/s max. 2.500 MB/s Formfaktor M.2 (2280) 4 KB Ran. Read (QD1) max. 15.000 IOPS 4 KB Ran. Write (QD1) max. 50.000 IOPS 4 KB Ran. Read (QD32) max. 200.