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ESG 8.65
Anode, Anschluss eines Thyristors. Im leitenden
Zustand positiv in Bezug auf Steuerelektrode und
Kathode (wenn negativ, dann sperrend).
Ausschaltspannung (Abfallwert). Die Spannung, bei
deren Wert sichergestellt ist, dass das SSR vom leiten-
den in den gesperrten Zustand wechselt.
Ausschaltzeit (maximale). Die Zeit zwischen der
Wegnahme des Steuersignals und dem Übergang des
SSR in den vollständigen ausgeschalteten Zustand
(Sperrzustand).
Basis. Der Steueranschluss eines Bipolartransistors.
Bipolar. Wird im allgemeinen verwendet zur Beschrei-
bung eines Transistorstyps, bei dem der Fluss eines
Gleichstroms zwischen Kollektor und Emitter durch
einen kleineren Strom moduliert wird, der zwischen
Basis und Emitter fliesst. Die Verstärkung des Transistors
steht mit dem Verhältnis dieser beiden Ströme in Bezie-
hung, das bei Emitterschalt-Konfigurationen als Beta
oder hfe definiert ist.
Bistabil. Ein Element mit zwei stabilen Zuständen, das
in seinem zuletzt betriebenen Zustand verbleibt, nach-
dem die Steuerenergie weggenommen wurde (z.B.
Sperr-Relais).
di/dt. Maximale Anstiegsgeschwindigkeit eines Last-
stroms in Durchlassrichtung, dem ein SSR ohne Scha-
den standhalten kann. Ein Merkmal von Thyristoren, die
in Wechselstrom-SSRs eingesetzt werden.
du/dt (Spannungssteilheit) im Blockierzustand
(statisch). Die Anstiegssteilheit der an den Ausgangs-
klemmen angelegten Spannung, der das SSR (AC)
standhalten kann, ohne beim Fehlen eines Einschalt-
Steuersignals einzuschalten. In der Regel ausgedrückt
als Minimalwert bei maximaler Nennspannung in Begrif-
fen von «Volt je Mikrosekunde» [V/μs].
Durchschlag (Überschlag). Der Punkt, an dem die
Sperrfähigkeit in einem SSR zusammenbricht, da die
Spannung über dessen maximale (Kurzzeit-) Nenngrös-
se erhöht wird.
Durchlassspannung (maximale). Spannungsfall
(Scheitelwert) bei voller Nennlast an den Ausgangs-
klemmen eines SSR.
Effektivwert Spannung (quadratischer Mittelwert).
Der Wert der Wechselspannung (Wechselstrom), der in
einer ohmschen Last dieselbe Verlustleistung wie
Gleichspannung (Gleichstrom) erzeugen würde. Bei
einer Sinuswelle ist der Effektivwert gleich 0,707 mal
dem Spitzenwert.
Eingangsimpedanz/-widerstand. Wirksamer Mindest-
Eingangswiderstand des SSR bei einer gegebenen
Spannung, der die zugeführte Leistung und die Empfind-
lichkeit definiert.
Einschaltspannung (Ansprechwert). Die am Eingang
eines SSR angelegte minimale Spannung, bei der das SSR
vom gesperrten in den leitenden Zustand wechselt.
Eingangsstrom (maximaler). Stromverbrauch des
SSR bei festgelegten Eingangsspannungen und Ein-
Aus-Bedingungen.
Einschaltzeit (maximale). Die Zeit zwischen der
Zuführung eines Einschalt-Steuersignals und dem
Übergang des Ausgangs des SSR in den vollständig
leitenden Zustand.
Emitter. Hauptschluss eines Transistors, auch der
Basisklemme und deren Steuerstrom zugeordnet.
FET. Feldeffekttransistor. Die Arbeitsweise unterschei-
det sich von derjenigen der bipolaren Typen. Die
Spannung, die zwischen dem Gate- und dem Source-
anschluss angelegt wird, moduliert den Widerstand
des Bauelementes auf den Stromfluss zwischen dem
Drain- und dem Sourceanschluss mit Hilfe eines
Feldes, das im Kanalbereich aufgebaut wird.
Halbleiterrelais (Solid-State-Relay, SSR). Ein
Halbleiterschalter, dessen Ein- und Ausgänge galva-
nisch getrennt sind, zum verschleissfreien Schalten
von unterschiedlichen Lasten.
Halbleitersicherung. Eine speziell konstruierte,
schnell wirkende Sicherung, die in der Lage ist, Halb-
leiterbauelemente zu schützen, mit Öffnungszeiten,
die im typischen Fall kürzer als 10 ms sind.
Haltestrom. Der Mindeststrom (Laststrom), der
gebraucht wird, um einen Thyristor im leitenden
Zustand zu halten.
Induktivität. Eine elektrische Eigenschaft, die einer
Stromänderung entgegenwirkt und auch eine Ladung
speichern kann. Die Einheit der Induktivität ist das
Henry [H].
Isolierwiderstand (minimaler). Ohmscher Wert, in
der Regel gemessen bei 500 V Gleichstrom, Eingang
nach Ausgang, oder beide zum Gehäuse.
I
2
t (Maximum). Nicht wiederkehrende Impuls-Strom-
Fähigkeit des SSR, angegeben zur Auswahl der Siche-
rung. Wird ausgedrückt als «Amperequadrat-Sekun-
den» bei typ. einer Halbperioden-Impulsbreite.
Kapazität. Die Fähigkeit, eine elektrische Ladung zu
speichern. Wird auch angegeben als Trennparameter
eines SSR, gemessen vom Eingang zum Ausgang oder
von beiden zum Gehäuse, vorgesehen als ein Mittel
zur Bestimmung der Kopplung von hochfrequentem
Rauschen.
Kathode. Anschluss eines Thyristors, der einem Gate-
Anschluss zugeordnet ist. Im leitenden Zustand
negativ im Verhältnis zur Anode.
Kollektor. Ein Hauptschluss eines bipolaren
Transistors.
Lastspannung. Der Bereich der minimalen bis maxi-
malen Netzspannung, die an den Ausgang eines SSRs
angelegt werden kann.
Begriffserläuterungen