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ESG 8.66
Laststrom (maximaler). Der maximale stationäre
Laststrom eines SSRs, der bei Anwendung der thermi-
schen Regeln, in Abhängigkeit des Kühlkörpers und der
Umgebungstemperatur weiter eingeschränkt sein kann.
Laststrom (minimaler). Der minimale Laststrom, den
das SSR braucht, um gemäss Spezifikation arbeiten zu
können.
Leckstrom. Der maximale Leckstrom, der im Sperrzu-
stand durch den Ausgang des SSRs fliesst.
Maximale Kapazität Eingang zu Ausgang. Höchstwert
der kapazitiven Kopplung zwischen Steuer- und Lei-
stungsausgangsklemmen.
Maximaler Überstrom (nicht wiederkehrend). Ähnlich
wie oben, aber im typischen Fall ausgedrückt als Effek-
tivwert für eine Dauer von einer Sekunde.
MTBF (Mean Time between failure): Durchschnittliche
Zeit zwischen zwei Fehlern.
Momentaneinschaltung. Das SSR schaltet nach dem
Anlegen der Steuerspannung unabhängig des momen-
tanen Phasenwinkels.
MOSFET. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor.
Die Steuerelektrode (Gate-Elektrode) ist im Allgemei-
nen durch eine Schicht Siliziumoxyd von der Quellen-
elektrode getrennt. Eine zwischen Gate-Elektrode und
Quelle angelegte Spannung ergibt einen Stromfluss
zwischen Drain und Quelle.
MOV. Metall-Oxid-Varistor, im Allgemeinen eingesetzt
bei Wechselstrom-SSR, um in zwei Richtungen wirken-
de Spannungssprünge zu unterdrücken. Hat eine
nichtlineare spannungsabhängige Widerstandskennlinie,
die mit ansteigender Spannung rasch abfällt.
Nullspannung-Einschalten. Das SSR schaltet, nach
dem Anlegen der Steuerspannung, im darauf folgenden
Nulldurchgang der Netzspannung.
Phasenanschnittsteuerung. Einschalten eines SSR bei
einem beliebigen Phasenwinkel, der durch die Steuersi-
gnalquelle bestimmt wird.
Snubber oder R/C Beschaltung. Eine Kombination aus
Widerstand und Kondensator, die an den Ausgangs-
klemmen eines SSRs angeordnet wird, um die Aus-
gangsthyristoren vor kritischen Spannungssteilheiten zu
schützen.
Sperrspannung. Maximal zulässige Spannung (Schei-
telwert) vor dem Durchschlag.
Steuerspannung. Der Bereich einer Spannung, die,
wenn sie an den Eingangsklemmen eines SSR angelegt
wird, einen Durchlasszustand an den Ausgangsklemmen
(die normalerweise offen sind) aufrechterhalten.
Stossstrom. Der maximal zulässige momentane
Stromfluss über ein SSR für eine festgelegte Zeitdauer.
(Wird angegeben als Spitzenwert für eine Periode).
Thyristor. Ein bistabiles Halbleiterbauelement, das drei
oder mehr Übergänge (PNPN usw. ) umfasst. Die Sam-
melbezeichnung für eine Familie von gate-gesteuerten
Schaltern, einschliesslich siliziumgesteuerter Gleich-
richter und Zweiweg-Thyristordioden.
Transient. Kurzer Überspannungs-, Überstromaus-
schlag gegenüber dem Normalzustand.
Transiente Überspannung. Der maximal zulässige
kurze Ausschlag der angelegten Spannung, dem ein
SSR ohne Schaden oder Störung standhalten kann,
während es seinen Sperrzustand bewahrt.
Transistor. Im allgemeinen ein Halbleiterbauelement
mit drei Klemmen, wobei der Gleichstromfluss zwischen
zwei Klemmen durch die dritte moduliert wird. Ein
Bipolartransistor ist im wesentlichen ein stromgesteuer-
tes Bauelement, während ein Feldeffekttransistor ein
spannungsgesteuertes Bauelement ist.
Triac (Zweigweg-Thyristortriode). In zwei Richtungen
wirkender Halbleiter der Thyristor-Familie. Die Wir-
kungsweise ist ähnlich der eines umgekehrten Paares
von siliziumgesteuerten Gleichrichtern, die durch eine
einzige Gate-Elektrode ausgelöst werden.
Umgebungstemperaturbereich. Die Temperaturgren-
zen der umgebenden Luft, in der Regel gegeben sowohl
für Betriebs- als auch für Lagerbedingungen. Es kann
erforderlich sein, die maximale Betriebstemperatur auf
Grund der thermischen Regeln der Wärmeausstrahlung
genau zu Beachten und möglicherweise einen Kühlkör-
per vorzusehen.
Varistor. Siehe Metall-Oxid-Varistor (MOV).
Verlustleistung. Die maximale durchschnittliche
Verlustleistung [Watt], die aus dem effektiven Span-
nungsabfall über dem SSR und dem Nennstrom resul-
tiert.
Wärmewiderstand (Rθ). Ausgedrückt in «Grad Celsius
pro Watt» [°C/W]. Dieser Wert definiert das Temperatur-
gefälle zwischen der Energie, die im Ausgang des SSR-
Halbleiters erzeugt wird und dem abführenden Medium
(Kühlkörper/Luft).