Data Sheet

Hoja de datos 6ES7132-4BF50-0AA0

módulo electrónico para ET 200S, 8 DO Sink Output, DC 24V/0,5A,

15 mm de ancho, 1 unidad por unidad de embalaje

Tensión de alimentación

Resistencia a tensiones en sentido inverso Sí; en caso de utilizar la misma tensión de carga, y polaridad

correcta, que en el módulo de potencia

Tensión de carga L+

● Valor nominal (DC)

24V; del módulo de potencia

● Protección contra inversión de polaridad

Sí

Intensidad de entrada

de la tensión de carga L+ (sin carga), máx. 5mA

de bus de fondo 3,3 V DC, máx. 10mA

Pérdidas

Pérdidas, típ. 1,5W

Área de direcciones

Espacio de direcciones por módulo

● Espacio de direcciones por módulo, máx.

1byte

Salidas digitales

Tipo de salida digital Transistor

Número de salidas 8

6ES7132-4BF50-0AA0 Sujeto a cambios

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Hoja de datos 6ES7132-4BF50-0AA0 módulo electrónico para ET 200S, 8 DO Sink Output, DC 24V/0,5A, 15 mm de ancho, 1 unidad por unidad de embalaje Tensión de alimentación Resistencia a tensiones en sentido inverso Sí; en caso de utilizar la misma tensión de carga, y polaridad correcta, que en el módulo de potencia Tensión de carga L+ ● Valor nominal (DC) 24 V; del módulo de potencia ● Protección contra inversión de polaridad Sí Intensidad de entrada de la tensión de carga L+ (sin carga), máx.
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Protección contra cortocircuito ● Umbral de respuesta, típ. Sí 1,5 A Limitación de la sobretensión inductiva de corte a típ. 47V Ataque de una entrada digital Sí Poder de corte de las salidas ● con carga tipo lámpara, máx. 5W Rango de resistencia de carga ● Límite inferior 48 Ω ● Límite superior 3 400 Ω Tensión de salida ● para señal "1", mín. máx. 1V Intensidad de salida ● para señal "1" valor nominal 0,5 A ● para señal "1" rango admisible, mín. 5 mA ● para señal "1" rango admisible, máx.
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Aislamiento galvánico módulos de S digitales ● entre los canales No ● entre los canales y bus de fondo Sí Aislamiento Aislamiento ensayado con 500 V DC Dimensiones Ancho 15 mm Alto 81 mm Profundidad 52 mm Pesos Peso, aprox.