Data Sheet

MPSA92
MPSA92
High Voltage PNP Transistors
Hochspannungs-PNP-Transistoren
I
C
= - 500 mA
h
FE1
> 40
T
jmax
= 150°C
V
CEO
= - 300 V
P
tot
= 625 mW
Version 2016-03-02
TO-92 (10D3)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
1
)
Features
High collector voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Hohe Kollektorspannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
4000 Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
MPSA42
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - V
CEO
300 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - V
CBO
300 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
625 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC - I
C
500 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55...+150°C
Characteristics Kennwerte
T
j
= 25°C Min. Typ. Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 200 V - I
CB0
– – 250 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
B
= 0, V
EB
= 3 V - I
EB0
– – 100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
4
)
I
C
= 20 mA, I
B
= 2 mA - V
CEsat
– – 500 mV
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
4
)
I
C
= 20 mA, I
B
= 2 mA - V
BEsat
– – 0.9 V
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
16
18
9
2 x 2.54
E
B C