Data Sheet

S16ASD2 ... S16MSD2
S16ASD2 ... S16MSD2
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes – Half Bridge
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage– Halbbrücke
Version 2012-10-09
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
16 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-263AB
D
2
PAK
Weight approx.
Gewicht ca.
1.6 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1
)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1
)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
1
), T
j
= 25°C
I
F
= 5 A I
F
= 8 A
S16ASD2 50 50 < 1.0 < 1.1
S16BSD2 100 100 < 1.0 < 1.1
S16DSD2 200 200 < 1.0 < 1.1
S16GSD2 400 400 < 1.0 < 1.1
S16JSD2 600 600 < 1.0 < 1.1
S16KSD2 800 800 < 1.0 < 1.1
S16MSD2 1000 1000 < 1.0 < 1.1
Max. average forward current, R-load
Dauergrenzstrom mit R-Last
T
C
= 100°C
T
C
= 100°C
I
FAV
I
FAV
8 A
1
)
16 A
2
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
30 A
3
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
135/150 A
1
)
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C i
2
t 90 A
2
s
1
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Output current when operating two devices in a full bridge configuration
Ausgangsstrom bei Betrieb zweier Bauteile als Vollbrücke
3 Max. temperature of the case T
C
= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T
C
= 100°C
1
1
2
3
4
0.4
4.5
0.2±
1.2
5.08
0.8
1.3
1
Type
Typ
32
4
10.25
±0. 5